近日，富士通半導體公司正式宣布推出一款具有突破性功耗表現(xiàn)的64kb FRAM（鐵電存儲器）芯片，該產(chǎn)品在運行功耗方面達到了同類產(chǎn)品中的最佳水平，特別適用于電池供電設備的開發(fā)。

這款新型64kb FRAM采用了富士通專有的鐵電材料技術(shù)和低功耗電路設計，在保持高速讀寫性能的同時，將運行功耗降低了約30%相比傳統(tǒng)產(chǎn)品。其工作電壓范圍覆蓋1.8V至3.6V，非常適合物聯(lián)網(wǎng)設備、可穿戴設備、醫(yī)療監(jiān)測設備等對電池壽命要求嚴格的應用場景。

FRAM技術(shù)結(jié)合了RAM的高速讀寫特性和非易失性存儲的數(shù)據(jù)保持能力，無需電池備份即可在斷電情況下保持數(shù)據(jù)。此次富士通推出的低功耗版本進一步拓展了FRAM在便攜式設備中的應用潛力。

據(jù)富士通半導體事業(yè)部負責人介紹，這款產(chǎn)品已經(jīng)完成樣品測試，預計將于下季度開始批量供貨。該產(chǎn)品的推出標志著低功耗存儲器技術(shù)在電池供電設備領域邁出了重要一步，將為設備制造商提供更長的電池續(xù)航時間和更緊湊的產(chǎn)品設計可能。